收藏本站
Typical Characteristics
10
3200
I D = -14A
V DS = 10V
30V
f = 1MHz
V GS = 0 V
8
2400
6
4
2
20V
1600
800
C rss
C oss
C iss
0
0
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
25
30
1000
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
100
V D S , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics
SINGLE PULSE
R θ JA = 96°C/W
100
10
R DS(ON) LIMIT
100μs
1ms
10ms
100ms
80
60
T A = 25°C
1s
10s
R θ JA = 96 C/W
1
0.1
V GS = -10V
SINGLE PULSE
o
DC
40
20
T A = 25 C
o
0
0.01
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0 1 10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
100
t 1 , TIME (sec)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
100
SINGLE PULSE
R θ JA = 96°C/W
1000
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
80
T A = 25°C
60
40
20
100
10
o
T J = 25 C
0
1
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.001
0.01
0.1
1
10
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Single Pulse Maximum Peak
Current
FDD6637 Rev. C2(W)
t A V , TIME IN AVANCHE(ms)
Figure 12. Unclamped Inductive
Switching Capability
www.fairchildsemi.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
FDD6670A MOSFET N-CH 30V 15A DPAK
FDD6680AS MOSFET N-CH 30V 55A DPAK
FDD6682 MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
FDD6685 MOSFET P-CH 30V 11A DPAK
FDD6690A MOSFET N-CH 30V 12A DPAK
FDD6760A MOSFET N-CH 25V 27A DPAK
FDD6770A MOSFET N-CH 25V 24A DPAK
FDD6778A MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
相关代理商/技术参数
FDD6637 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:P CHANNEL MOSFET, -35V, 13A, TO-252
FDD6637_06 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:35V P-Channel PowerTrench MOSFET
FDD6637_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:P-Channel PowerTrench?? MOSFET -35V, -21A, 18m??
FDD6637_F085 功能描述:MOSFET Trans MOS P-Ch 35V 13A 3-Pin 2+Tab RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD6644 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD6644S 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDD6670 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
FDD6670A 功能描述:MOSFET 30V N-Ch PowerTrench Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube